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FQD12N20LTM

更新时间:2025-07-03 16:34:07

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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FQD12N20LTM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD12N20LTM 概述

FQD12N20LTM是一款由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装，适用于表面贴装工艺。它具有低导通电阻和快速开关特性，使其在高效功率转换应用中表现出色。典型应用场景包括直流-直流转换器、电源管理模块以及电机驱动电路。在这些应用中，FQD12N20LTM能有效降低功耗并提高系统效率。其最大漏源电压(VDS)为200V，连续漏极电流(ID)可达12A，在高温环境下也能保持稳定性能。使用建议：由于其高耐压和较大电流能力，设计时需注意散热处理以确保可靠运行。此外，栅极驱动电路的设计对于充分发挥其开关速度至关重要。若用于电机驱动，推荐采用适当的保护电路防止过流损坏。

FQD12N20LTM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
280 毫欧 @ 4.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1080pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD12N20LTM-NDFQD12N20LTMTR

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