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HAT2165N

更新时间:2025-05-25 04:51:35
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HAT2165N 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    55A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.6 毫欧 @ 27.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    33nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5180pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    30W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
  • 供应商设备封装
    8-LFPAK-iV
  • 包装
    带卷 (TR)
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