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  • 瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET

    717实验板在频率300kh z、输出电压1.6v、输出电流10a的条件下进行测试,上部电路固定为hat20682,下部电路用3种不同ron/qgd比值的hat20682。hat20682属于d7-l类型。在最低qgd为5.0nc的情况下,效率最高。降低栅极电阻rg有利于提高工作频率和开关损耗,仍用maxim1717实验板,测试条件为vin为12v、f为300khz和1mhz。测试结果,rg变大时,效率变低。 优化门限电压vth有两个目的,一是避免误开通,二是提高效率,降低损耗。安排上部固定为hat2168h,下部用具有三种不同vth值的hat2165h和hat2265h。实验板仍是maxim1717。测试条件是vout=1.3v、iout=10a,f=1mhz。从测试结果看,不同的vth有不同的效率曲线,需要找出一个最高效率曲线,即得到优化的vth。 从封装上看,d8-l系列与以往的d7-l系列产品在性能上有明显优势。这里把ron和qgd作为品质因数即mom来考察。在vdss为30v、栅-源电压vgs为4.5v的条件下,d8-l系列的mom从d7-l的65毫欧nc下降到24毫欧nc,改进了接近6

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