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HAT2173H Silicon N Channel Power MOS FET Powe... RENESAS [Renesas Technology Corp] HAT2173HPDF下载
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型号厂家封装批号数量日期价格
HAT2173H renesas so8 10+ 100 2011/4/1 11:44:44 1.0000/pcs
HAT2173H hit SO-8 09/10+ 100 2011/3/24 14:53:19 3.2000/pcs
HAT2173H HITACHI SMD 09+ 21454 2011/3/24 10:52:59 3.8000/pcs
HAT2173H RENESAS LFPAK 10+ 100 2011/3/24 10:07:55 5.0000/pcs
HAT2173H RENESAS LFPKA 07/PB 2008/8/14 0:00:00 5.0000/pcs
HAT2173H HITACHI 09+ SO-8 20000 2011/3/25 11:41:54 6.0000/pcs
HAT2173H HITACHI lfpak 10+ 100 2011/3/24 10:39:25 6.0000/pcs
HAT2173H RENESAS LFPAK 06+ 100 2010/8/21 10:56:06 9.6000/pcs
HAT2173H SANYO LFPAK 05+ 2000 2011/3/24 10:38:17 10.0000/pcs
HAT2173H hit SO-8 0932+ 100 2010/8/23 10:16:02 10.0000/pcs

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相关资讯

标准包装:
2,500
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
15 毫欧 @ 12.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
-
闸电荷(Qg) @ Vgs:
61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4350pF @ 10V
功率 - 最大:
30W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
SC-100，SOT-669
供应商设备封装:
LFPAK
包装:
带卷 (TR)

瑞萨科技推出12款第10代的隔离DC-DC转换器
，从而使隔离dc-dc转换器提高效率、降低能耗。新型功率mosfet具有如下特性： (1)栅-漏极电荷比瑞萨早期的产品约低50%（电压容差为100v的rjk1056dpb）为了降低隔离dc-dc转换器的能耗，需要栅-漏极电荷（qgd）较低（这是降低开关损耗的一个重要因素）的功率mosfet。这12款新型功率mosfet采用瑞萨第10代针对该应用进行了优化的0.18μm 工艺制造而成。例如，电压容差为100v的rjk1056dpb，其栅-漏极电荷为7.5nc，约为瑞萨早期产品hat2173h（14.5nc）的一半。 (2)电压容差范围广（40v、60v、80v 和 100v）隔离 dc-dc 转换器的输入和输出电压取决于所使用的功率mosfet的电压容差。在隔离元件方面，隔离 dc-dc 转换器由充当输入端的主电源和充当输出端的副电源组成。新型功率 mosfet 系列包含专门用于满足一次侧需求、电压容差为80v 和100v的产品，以及用于满足二次侧需求、电压容差为40v和60v的产品。用户可以选择最符合其要求的产品。 (3)高性能封装提升了产品性能新型功

HAT2196C HAT2202C HAT2205C HAT2206C HAT2207C HAT2210R HAT2221C HAYES HB100 HB245

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类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

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