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IRF7102

更新时间:2025-07-04 12:39:01
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IRF7102 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    HEXFET?
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    50V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    300 毫欧 @ 1.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    6.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    120pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    2W
  • 工作温度
    -
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装
    8-SO
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