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IRFBC20

更新时间:2025-07-04 12:58:22

供应商
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封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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只做原装正品，假一罚十，大量现货，特价销售

深圳市誉辉天成电子有限公司
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5000
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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IRFBC20 概述

IRFBC20是国际整流器公司（Infineon Technologies）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用场合。其最大漏源电压为60V，连续漏极电流可达12A，在驱动电路、直流-直流转换器以及电机控制等场景中表现出色。在电源管理领域，IRFBC20常被用于同步整流电路中以提高效率；在电机驱动方面，则可用于控制小型直流电机的速度与方向。使用时应注意合理选择栅极电阻值以优化开关速度并减少电磁干扰。此外，为保证可靠工作，需确保栅极电压足够高以便充分开启MOSFET，并采取适当散热措施。

IRFBC20 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.4 欧姆 @ 1.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
*IRFBC20

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