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IRFBG30 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0... IRF IRFBG30PDF下载
IRFBG30 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0... IRF [International Rectifier] IRFBG30PDF下载
IRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB IRFBG30PBFPDF下载
IRFBG30PbF Power MOSFET VISAY [Vishay Siliconix] IRFBG30PbFPDF下载
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irfbg30价格行情

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历史最低报价：￥0.0500 历史最高报价：￥13.9500 历史平均报价：￥3.4796

型号厂家封装批号数量日期价格
IRFBG30 TOSHIBA TO220 08+ 1000 2011/1/9 15:50:17 0.0500/pcs
IRFBG30 IR TO-220 05+ 2009/4/24 0:00:00 0.8000/pcs
IRFBG30 IR TO-220 05+ 2009/4/17 0:00:00 1.2000/pcs
IRFBG30 IR TO-220 08+ 15000 2010/9/7 17:50:00 1.4500/pcs
IRFBG30 IR 07+/08+ 15000 2010/9/7 18:07:40 1.5000/pcs
IRFBG30 IR TO-220AB 2007/5/15 0:00:00 1.6000/pcs
IRFBG30 IR TO-220 03+ 2007/5/15 0:00:00 1.7000/pcs
IRFBG30 IR/A6 TO-220 2004 2008/8/5 0:00:00 1.8000/pcs
IRFBG30 IR TO-220 06+ 2009/4/17 0:00:00 1.9000/pcs
IRFBG30 6500 TO-220 IR 2010/9/29 15:36:20 2.0000/pcs

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引脚图及结构图
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标准包装:
1,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
3.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
5 欧姆 @ 1.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
980pF @ 25V
功率 - 最大:
125W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220AB
包装:
管件
其它名称:
*IRFBG30

IRFBG30
2.2A/1000V

MOSFET 瞬间脉冲电流过高
mosfet 瞬间脉冲电流过高mosfet 瞬间脉冲电流过高，峰值电流达到50a，我用的mosfet是irfbg30，最高不能超过12a，请问大侠，如何才能解决峰值电流过高的问题。谢谢！

IRFC230 IRFC420 IRFD110 IRFD113 IRFD120 IRFD9120 IRFD9210 IRFI4019H-117P IRFI4020H-117P IRFI4024H-117P

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