IRGC9B120KB

更新时间:2025-06-21 01:01:51

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IRGC9B120KB 概述

IRGC9B120KB是由Infineon Technologies生产的碳化硅（SiC）沟槽栅极IGBT器件。该器件专为高压应用设计，具备低导通损耗和开关损耗特性，适用于高效能电源转换系统。主要应用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器及电动汽车充电桩等领域。其优异的热性能和高可靠性使其成为恶劣环境下电力电子设备的理想选择。在实际应用中，建议配合适当的散热器使用以确保最佳工作温度，并且在电路设计时需考虑过压保护措施以防止瞬态电压尖峰损坏器件。此外，在PCB布局阶段应尽量缩短减少寄生电感对开关性能的影响。

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