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irgp30b120kd-e
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irgp30b120kd-e替代型号

当前位置：维库电子市场网>IC>irgp30b120kd-e 更新时间:2025-08-13 02:49:13

irgp30b120kd-e供应商优质现货

更多>

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
irgp30b120kd-e
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

深圳市广赢电子有限公司
IRGP30B120KD-E
优势
2001
IR
TO247/00+
只做原装，专为终端工厂服务

深圳市钜麟科技有限公司
IRGP30B120KD-EP
优势
350
INFINEON/IR
TO2473 Long Leads (TO247AD)/24+
-

深圳市得捷芯城科技有限公司
IRGP30B120KD-E
6459
IR
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

斯耐尔（深圳）科技有限责任公
IRGP30B120KD-E
40000
IR
TO247/0017+
优势库存，特价出售一站式配单服务

深圳市万芯时代贸易有限公司
IRGP30B120KD-E
1
回收IC
N/A/25+
回收此型号IRGP30B120KD-E

深圳市亿科泰电子科技有限公司
IRGP30B120KD-E
22500
IR
TO247/16+RoHS
保证质量质优价好给你

深圳市楚胜电子有限公司
IRGP30B120KD-E
22358
IR
TO247AC/22+
房间现货，价格优势。

深圳萤美电子科技有限公司
IRGP30B120KD-E
6000
IR
TO247/23+
原装现货只做原厂原装优势库存自家库存

深圳市拓亿芯电子有限公司
IRGP30B120KD-E
15000
IR
TO247/23+
全新原装现货，价格优势

深圳市赛美科科技有限公司
IRGP30B120KD-E
53650
IR
TO247/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市科鑫美电子有限公司
IRGP30B120KD-E
28683
IR
TO247/21+
原装现货终端免费提供样品

深圳市君云达电子科技有限公司
IRGP30B120KD-E
118461
IR
TO247/24+
原装不仅销售也回收

深圳市美思瑞电子科技有限公司
IRGP30B120KD-E
9925
IR
TO247/22+
市场最低价原厂原装假一罚十

深圳市优尚半导体科技有限公司
IRGP30B120KD-E
5000
IR原装
DIP/SOP/SSOP/QFP/23+
优势产品大量库存原装现货

北京逸博微科技有限公司
IRGP30B120KD-E
65
IR
-/0441+
北京电子市场柜台现货，低价销售，欢迎查询

深圳市翊锴电子科技有限公司
IRGP30B120KD-E
10000
IR
TO247AC/24+
原装现货,提供BOM配单服务

深圳市跃创芯科技有限公司
IRGP30B120KD-E
20000
IR
TO247/2022+
只做原装进口现货.假一罚十

深圳市安富世纪电子有限公司
IRGP30B120KD-E
105000
IR/VISHAY
TO247/23+
十年配单，只做原装

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
IRGP30B120KD-E
8000
-
21+/2024+
原装现货，支持BOM配单

深圳市港博科电子有限公司
IRGP30B120KD-E
10000
IR
TO247AC/25+
提供一站式配单服务

irgp30b120kd-ePDF下载地址

序号元器件名功能描述生产厂商资料下载
IRGP30B120KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI... IRF IRGP30B120KD-EPDF下载
IRGP30B120KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI... IRF [International Rectifier] IRGP30B120KD-EPDF下载
IRGP30B120KD-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI... IRF [International Rectifier] IRGP30B120KD-EPPDF下载
IRGP30B120KD-EPBF Insulated Gate Bipolar Transistor, 6... IRF IRGP30B120KD-EPBFPDF下载

irgp30b120kd-e价格行情

更多>

历史最低报价：￥1.4000 历史最高报价：￥92.3000 历史平均报价：￥20.9928

型号厂家封装批号数量日期价格
IRGP30B120KD-E IR TO247 07+ 2008/3/8 0:00:00 1.4000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 04+ 2008/2/29 0:00:00 6.0000/pcs
IRGP30B120KD-E TO-247AC 05+(PB-FRE 2008/7/30 0:00:00 8.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 08+ 2008/7/30 0:00:00 9.2000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247AC 06+07+PB-F 2008/7/30 0:00:00 12.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 04+ 2008/7/30 0:00:00 12.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 05+/06+ 2008/7/30 0:00:00 15.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO- 05+/06+ 2008/7/30 0:00:00 15.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247AC 2008/3/2 0:00:00 15.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247AC 05+(PB-FRE 2007/11/13 0:00:00 15.0000/pcs

irgp30b120kd-e中文资料

irgp30b120kd-e中文资料

“单正向”栅驱动IGBT简化驱动电路
而设计的典型igbt电容曲线。cres曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到v接近15v，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau) 特性，c的实际值就可以进一步减小。这种现象是由igbt内部的本征jfet引起的。如果jfet的影响可以最小化，c和c可随着vce的提高而很快下降。这可能减小实际的cres，即减小dv/dt感生开通对igbt的影响。图3 需负偏置关断的典型igbt的寄生电容与v的关系。 irgp30b120kd-e是一个备较小c和经改良jfet的典型igbt。这是一个1200v，30a npt igbt。它是一个co-pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于to-247封装。设计人员可减小多晶体栅极宽度，降低本征jfet的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。对两种1200v npt igbt进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是ir公司的npt单正向栅驱动irgp30b120kd-e。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56Ω下驱动时

irgp30b120kd-e替代型号

IRGP30B120KD IRGBC30U IRGB4062DPBF IRGB15B60KD IRG4PF50WPBF IRG4PF50WDPBF IRG4PF50W IRG4PC50UD IRG4PC40W IRG4PC40UDPBF

IRGP50B60PD IRGP50B60PDPBF IRGPS40B120UDPBF IRIS4007 IRIS4011 IRIS4015 IRL2203S IRL2505 IRL3102 IRL3102S

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IPD60R1K4C6 ISL6277HRZ IMP812REUS-T IRF730PBF ICE3BR1065JF ICL8211CPA IRLML6402TR ISL6292-2CR4Z-T IRF7458TRPBF IRF7821TRPBF

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