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IXTA110N055P

更新时间:2025-06-20 00:48:26

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IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IXTA110N055P 概述

IXTA110N055P是IXYS公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源转换应用。其最大漏源电压为55V，连续漏极电流可达110A，适合于需要高电流处理能力的场合。典型应用场景包括直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及电池管理系统等。在电路设计中，建议充分考虑散热管理以确保器件稳定运行。使用时需注意栅极驱动电压的选择，通常推荐10V以上的栅极电压来实现最佳导通电阻性能。此外，在并联多个MOSFET时要保证良好的均流措施，避免局部过热。对于高频应用，还需优化布局减少寄生电感影响。

IXTA110N055P 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PolarHT™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
110A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13.5 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
76nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2210pF @ 25V
功率 - 最大
390W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
TO-263
包装
管件

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