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IXTP1R6N100D2

更新时间:2025-05-21 08:04:57
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IXTP1R6N100D2外观图

IXTP1R6N100D2

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

  • 封装:TO-220-3
IXTP1R6N100D2 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    10 欧姆 @ 800mA，0V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    27nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    645pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    100W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220AB
  • 包装
    管件
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