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MTD5P06VT4GV

更新时间:2025-05-26 22:42:51
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MTD5P06VT4GV 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    60 V
  • 漏极连续电流
    5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    340 mOhms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    DPAK
  • 封装
    Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    3.6 mhos
  • 栅极电荷 Qg
    12 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    40 W
芯产品
302
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广东微尔科技有限公司
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