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mtd6n20e中文资料

  • MTD6N20ET4G的技术参数

    产品型号:MTD6N20ET4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):200
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):700
    最大漏极电流Id(on)(A):6
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):3DPAK/-55~150
    描述:6A,200V,DPAK,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥6.86
    ...

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MTD6N20ET4G MTK6225 MTK6226 MTK6302 MTM15N20 MTM55N10 MTP12N05 MTP12P10G MTP201-G166 MTP23P06VG

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