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NSS40300DDR2G

更新时间:2025-06-14 23:53:08

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NSS40300DDR2G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS PNP DUAL 40V 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

NSS40300DDR2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列
系列
-
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
170mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
180 @ 1A，2V
功率 - 最大
653mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)

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