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NSS40302PDR2G

更新时间:2025-05-20 20:17:54
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NSS40302PDR2G外观图

NSS40302PDR2G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
NSS40302PDR2G 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    115mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    180 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大
    653mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOICN
  • 包装
    带卷 (TR)
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