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NTH4L020N120SC1

更新时间:2025-06-19 08:29:14
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NTH4L020N120SC1 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    102A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    28毫欧 @ 60A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.3V @ 20mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    220 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）
    +25V，-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2943 pF @ 800 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    510W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-247-4L
  • 封装/外壳
    TO-247-4
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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