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nthd3100ct1g价格行情

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nthd3100ct1g中文资料

  • NTHD3100CT1G的技术参数

    产品型号:nthd3100ct1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80最大漏极电流id(on)(a):3.900通道极性:n/p沟道封装/温度(℃):chipfet /-55~150描述:20 v, +3.9 a/-4.4 a功率mosfet价格/1片(套):￥2.80 来源:xiangxueqin

  • NTHD3100CT1G的技术参数

    产品型号:NTHD3100CT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
    最大漏极电流Id(on)(A):3.900
    通道极性:N/P沟道
    封装/温度(℃):ChipFET /-55~150
    描述:20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET
    价格/1片(套):...

nthd3100ct1g替代型号

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