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PHT8N06LT,135

更新时间:2025-05-16 16:28:44
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PHT8N06LT,135外观图

PHT8N06LT,135

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
PHT8N06LT,135 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    80 毫欧 @ 5A，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    11.2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    650pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1.8W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SC-73
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-7369-6
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