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SI7606DN-T1-E3

更新时间:2025-05-23 02:40:11
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SI7606DN-T1-E3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    125 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    3.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.108 Ohms
  • 配置
    Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK 1212-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    25 ns, 10 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    3.8 W
  • 上升时间
    70 ns, 12 ns
  • 工厂包装数量
    3000
  • 商标名
    TrenchFET/PowerPAK
  • 典型关闭延迟时间
    17 ns, 20 ns
  • 零件号别名
    SI7606DN-E3
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