12000
DFN5X6/2025+520
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SI7633DP
25
PAK SO8/-
全新原装，假一罚十，优势热卖
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SO8/23+
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9200
QFN8/23+
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SI7633DP
5
PAK SO8/1301+
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48000
QFN8/24+
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SI7633DP
8700
QFN8/23+
原装现货
SI7633DP
50000
QFN8/23+ROHS
原装，原厂渠道，十年BOM配单专家
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QFN8/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
SI7633DP
5000
QFN8/22+
一站式配单，只做原装
SI7633DP
41101
QFN8/-
大量现货，提供一站式配单服务
SI7633DP
8000
QFN8/22+
原装现货，配单能手
SI7633DP
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QFN8/23+
提供一站式配单服务
SI7633DP
64888
QFN8/24+
原装不仅销售也回收
Si7633DP
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
Si7633DPPDF下载
SI7633DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO
SI7633DP-T1-GE3PDF下载
日前，vishay intertechnology, inc. 日前宣布推出新型20v和30v p通道trenchfet功率mosfetsi7633dp和si7135dp。这次推出的器件采用so-8封装，具有±20v栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同类so-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24mω ，而vishay的si7633dp具有3.3mω(在10v时)及5.5mω(在4.5v时)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30v器件低27%(在10v时)和28%(在4.5v时)，比最接近的同类25v so-8器件分别低28%和15%。30-v si7135dp的导通电阻为 3.9mω(在10v时)和6.2mω(在4.5v时)，比最接近的同类器件分别低13%(在10v时)和19.5%(在4.5v 时)。 这次推出的两款mosfet均采用powerpak so-8封装，可容许比其它so-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。 这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间
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