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SSM6N815R,LF

更新时间:2025-06-09 10:52:56
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SSM6N815R,LF 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    U-MOSVIII-H
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平栅极，4V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    103 毫欧 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    290pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    1.8W（Ta）
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    6-TSOP-F
芯产品
1.3万
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广东微尔科技有限公司
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