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STB20NM60

更新时间:2025-05-20 16:41:53
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STB20NM60 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    42 ns
  • 典型接通延迟时间
    25 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    39 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    1500 pF V @ 25
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    9.35mm
  • 封装类型
    D2PAK
  • 尺寸
    10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目
    3
  • 最低工作温度
    -65 °C
  • 最大功率耗散
    192000 mW
  • 最大栅源电压
    ±30 V
  • 最大漏源电压
    600 V
  • 最大漏源电阻值
    0.29
  • 最大连续漏极电流
    20 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    单
  • 长度
    10.4mm
  • 高度
    4.6mm
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