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STB230NH03L

更新时间:2025-06-13 11:47:42

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STB230NH03L

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

STB230NH03L 概述

STB230NH03L是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能电源管理应用。其最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达58A，非常适合用于DC-DC转换器、负载开关及电池充电电路中。在实际应用中，由于其低栅极电荷量，可以实现快速开关，有助于降低开关损耗，提高整体效率。在设计时应注意合理选择栅极驱动电阻以优化开关性能，并确保散热设计良好，避免过热导致的性能下降或损坏。此款MOSFET常被用作同步整流管，在高频PWM控制器电路中表现出色。此外，还适用于电动工具、电机控制等需要高效能开关元件的场合。

STB230NH03L 规格参数

其它有关文件
STB230NH03L View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫欧 @ 40A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4700pF @ 10V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-7942-6

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