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STD10NF10T4

更新时间:2025-07-04 07:01:28

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳市友佳达电子科技有限公司
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深圳市百达威尔科技有限公司
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TO2523/22+
只做原装欢迎监督

深圳市伟欣华电子有限公司
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150000
ST/意法
TO252/21+
原装现货，价格优势，支持bom表配单

深圳市楚胜电子有限公司
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房间现货，价格优势。

深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市芯乐创科技有限公司
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50000
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只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市富莱微科技有限公司
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深圳市捷富芯科技有限公司
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TO252/2026+
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深圳市南烽电子有限公司
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深圳市芯巴巴科技有限公司
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只做原装，提供一站式BOM配套服务

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原包装正品现货库存-正规渠道增值税票

上海磐岳电子有限公司
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进口原装现货，杜绝假货。

北京金州智业科技有限公司
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2000
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22840
ST
TO252DPAK/2024
上海原装现货库存，欢迎查询

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8000
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市瑞凡微电子科技有限公司
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深圳市欧昇科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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STD10NF10T4外观图

STD10NF10T4

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD10NF10T4 概述

STD10NF10T4是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为100V，连续漏极电流可达10A，在电源管理、电机驱动及DC-DC转换器等场景中表现出色。在实际应用中，建议将栅极电阻设置在10至20欧姆之间以减少振铃现象，同时确保散热良好，可使用铝制散热片或散热器配合导热硅脂来提高热性能。对于高频应用，需特别注意PCB布局以减小寄生电感影响。

STD10NF10T4 规格参数

其它有关文件
STD10NF10 View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
130 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
460pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-3153-6

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