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STP10NM60ND

更新时间:2025-05-18 05:20:29
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STP10NM60ND外观图

STP10NM60ND

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

  • 封装:TO-220-3
STP10NM60ND 规格参数
  • 其它有关文件
    STP10NM60ND View All Specifications
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    FDmesh™ II
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    600 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    577pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    70W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-12276
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广东微尔科技有限公司
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