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STP11N60DM2

更新时间:2025-05-21 15:52:23

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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stm
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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N/A
N/A/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

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ST/意法半导体
TO2203/26+
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6000
ST/意法半导体
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STP11N60DM2 概述

STP11N60DM2是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，适用于高频开关电源和其他高效能电力电子应用。该器件采用MDmesh DM2技术，具有低栅极电荷和低反向传输电容，有助于降低开关损耗并提高效率。其最大漏源电压为600V，连续漏极电流在25℃时为11A，适用于高压、大电流的应用场景。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业电机驱动以及高频开关电源等。在电路设计中应注意适当的散热措施，并确保栅极驱动信号足够强以实现快速开关，避免不必要的导通损耗。此外，在布局PCB时应尽量减小寄生电感，以防止电压尖峰对MOSFET造成损害。

STP11N60DM2 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
MDmesh? DM2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
420 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
614 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3

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