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STP11N65M5

更新时间:2025-05-19 19:46:58
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STP11N65M5外观图

STP11N65M5

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N CH 650V 9A TO-220

  • 封装:TO-220-3
STP11N65M5 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    Mdmesh™ V
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    480 毫欧 @ 4.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    620pF @ 100V
  • 功率 - 最大
    85W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-13170
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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