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STP19N06L

更新时间:2025-06-25 11:34:36

供应商
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封装/批号
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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TO263(D2PAK)/22+
十年配单，只做原装

深圳市科圳威电子有限公司
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60701
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深圳原装现货，可看货可提供拍照

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300000
JSMSEMI/杰盛微
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深圳市广弘电子有限公司
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深圳原包装现货库存-正规渠道-增值税票

深圳市创芯联盈电子有限公司
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154836
VISHAY/威世
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深圳市威雅利发展有限公司
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7300
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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原装现货，可开专票，提供账期服务

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原装现货终端免费提供样品

深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
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原装正品，配单能手

深圳市毅创辉电子科技有限公司
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VB
TO220AB/22+
诚信合作一站配齐

深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
ST
TO220/10+
原装正品,配单能手

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ST/意法
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STP19N06L 概述

ST9N06L是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用D²PAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为60V，在室温下连续漏极电流可达19A，非常适合于电源管理、电机控制和直流-直流转换器等场合。在电源管理系统中，它可用于同步整流电路，提高整体效率。对于电机控制应用，能够提供精确的转矩控制。在设计直流-直流转换器时，应关注栅极驱动电压的选择，确保完全开启MOSFET以降低导通损耗。使用时注意散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。建议根据具体工作条件计算并选择合适的散热器。

STP19N06L 规格参数

制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 15 V
漏极连续电流
19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.1 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
下降时间
95 ns
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
80 W
上升时间
165 ns
工厂包装数量
50

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