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STP22NE03L

更新时间:2025-07-03 19:05:44

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司
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STP22NE03L 概述

STP22NE03L是由意法半导体生产的N沟道MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，典型Rds(on)值在10V栅源电压下为0.03欧姆。该器件最大漏极电流可达22A，适合用于直流-直流转换器、电机驱动以及电源管理电路中。其低导通损耗和快速开关速度有助于提高能效，在工业控制、消费电子设备等领域广泛应用。使用时需注意栅极驱动电压要足够以确保完全开启，推荐在实际应用中添加适当的散热措施以维持长期可靠性。

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