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TC58DVG02A1FT00

更新时间:2025-06-25 12:07:08
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TC58DVG02A1FT00 相关资料

  • 其它信息：

    结构：存储器元阵列：528×256K×8，寄存器：528×8，页面大小：528字节，块大小：(16K＋512)字节；模式：读、重置、自动页面程序、自动块擦除、状态读、多块程序、多块擦除；模式控制：串行输入/输出，指令控制；电源电压：VCC＝2.7～3.6V；程序/擦除周期：105周期(具有ECC)；存取时间：元阵列到寄存器为25μs(最大值)、串行读周期为50ns(最小值)；操作电流：读模式(50ns周期)时为10mA(典型值)，程序模式(平均值)时为10mA(典型值)，擦除模式(平均值)时为10mA(典型值)，待机模式时为50μA；封装：48引脚的TSOP封装

  • 引脚图：

    TC58DVG02A1FT00引脚图

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  • 厂家：TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述：TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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