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TC58NVG0S3EBAI4

更新时间:2025-05-05 12:02:39
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  • HECC GROUP CO.，LIMITED

  • TC58NVG0S3EBAI4

    TC58NVG0S3EBAI4

  • 988

  • TOSHIBA

  • SOP28/23+

  • 假一罚万，全新原装库存现货，可长期订货

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TC58NVG0S3EBAI4的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TC58NVG0S3EBAI4外观图

  • 单元类型：NAND
  • 块组织：对称
  • 字组数目：128M
  • 存储器大小：1Gbit
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：9mm
  • 封装类型：TFBGA
  • 尺寸：11 x 9 x 0.74mm
  • 引脚数目：63
  • 接口类型：并行
  • 最低工作温度：-40 °C
  • 最大工作电源电压：4.6 V
  • 最小工作电源电压：-0.6 V
  • 最长随机存取时间：25ns
  • 最高工作温度：+85 °C
  • 每字组的位元数目：8bit
  • 组织：128M x 8
  • 长度：11mm
  • 高度：0.74mm
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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