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其它信息:
2.7~3.6V读/写;快速读取时间为120ns;内部编程控制和计时器;扇区架构:1个8K字(16KB)具有编程锁存的启动块,2个4K字(8KB)参数区块,1个496K字(992KB)主存储阵列区块;快速擦除时间为10s;按字或字节顺序排列的编程为30μs;硬件数据保护;Data轮询用于程序检测的结束;典型的10000次擦除周期;低功率消耗:25mA工作电流,50μA待机电流
引脚图: