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BSC750N10ND G

更新时间:2025-05-22 20:49:04
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BSC750N10ND G 规格参数
  • 数据列表
    BSC750N10ND GBSC750N10ND G
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    13A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    75 毫欧 @ 13A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 12µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    720pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    26W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装
    PG-TDSON-8（5.15x6.15）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSC750N10ND G-NDBSC750N10ND GTRSP000359610
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