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BSD223P

更新时间:2025-07-03 17:19:15
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BSD223P 规格参数
  • 数据列表
    BSD223P
  • 标准包装
    10,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    390mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.2V @ 1.5µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    0.62nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    56pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    250mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    PG-SOT363-6
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSD223PINTRBSD223PXTBSD223PXTINTRBSD223PXTINTR-ND
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