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BSZ042N04NSG

更新时间:2025-06-20 23:48:50
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BSZ042N04NSG 规格参数
  • 数据列表
    BSZ042N04NSG
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单路
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.2 毫欧 @ 20A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    40A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 36µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    3700pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    69W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装
    PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSZ042N04NSGINTR BSZ042N04NSGXT SP000388300
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