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BUZ71

更新时间:2025-06-14 18:46:48

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封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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只做原装，提供一站式BOM表电子配单服务

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无锡固电半导体股份有限公司
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BUZ71 概述

BUZ71是飞利浦公司（现为恩智浦半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件适用于高电压和大电流应用，具有低导通电阻特性，有助于减少功耗并提高效率。其最大漏源电压（Vds）可达500V，连续漏极电流（Id）在25°C时为8A，栅极-源极电压（Vgs）为±30V。此款MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的电路中。在实际应用中，为了确保稳定工作，建议使用适当的散热措施，并且在设计驱动电路时注意栅极电阻的选择以优化开关速度与EMI性能。例如，在半桥或全桥逆变器电路中，合理配置BUZ71与其他元件的连接方式，可以有效提升系统的整体性能。同时需注意防止静电损坏栅极，操作时应采取防静电措施。

BUZ71 规格参数

制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
50 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
17 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.085 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Tube
下降时间
35 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
7.7 S
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
60 W
上升时间
65 ns
工厂包装数量
50
典型关闭延迟时间
70 ns

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