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BUZ71A

更新时间:2025-05-16 00:29:44

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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原厂代理，专业配单，买原装料，找香港晨兴安富利
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深圳市岳泰达电子有限公司
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BUZ71A 概述

BUZ71A是由ON Semiconductor等厂商生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有较高的击穿电压，典型值为500V，适用于需要高耐压的开关应用。其导通电阻较低，在栅源电压为10V时典型值为0.65Ω，有助于降低导通损耗。它常用于电源管理电路如开关电源、DC-DC转换器中作为功率开关管使用。也可应用于电机驱动、继电器驱动等领域。在实际使用中，要确保栅极驱动电压足够以保证可靠导通，同时注意散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。对于高频开关应用，需优化栅极电阻以控制开关速度并减少振荡风险。

BUZ71A 规格参数

制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
50 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
13 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.1 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
下降时间
35 ns
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
40 W
上升时间
65 ns
工厂包装数量
50
典型关闭延迟时间
70 ns

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