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CSD10030A

更新时间:2025-05-16 00:28:47

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CSD10030A 概述

CSD10030A是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用先进的硅技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为30V，适合在低压电源管理电路中使用。典型应用场景包括负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等需要高效能和紧凑设计的场合。在电池供电设备中，CSD10030A能够帮助延长电池寿命并减少热耗散。由于其小尺寸封装（如SON或SOT封装），特别适合空间受限的设计需求。在实际应用中，建议注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET。对于高速开关应用，应考虑适当的栅极电阻值来优化开关速度与EMI性能之间的平衡。设计时还应注意PCB布局，尽量减小寄生电感对高频性能的影响。

CSD10030A 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
单二极管/整流器
系列
-
二极管类型
碳化硅肖特基
电压 - (Vr)（最大）
300V
电流 - 平均整流 (Io)
10A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 10A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间(trr)
0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
200µA @ 300V
电容@ Vr, F
660pF @ 0V，1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2
供应商设备封装
TO-220-2
包装
管件

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