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CSD16411Q3

更新时间:2025-05-02 12:34:51
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CSD16411Q3外观图

  • 大小：188.57KB
  • 厂家：Texas Instruments
  • 描述：N-Channel NexFET™ Power MOSFET
  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：56A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 毫欧 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：570pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大：2.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：296-24255-6
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