LTC4365的应用电路图原理
出处：jzfbbs 发布于：2011-09-01 18:27:44 | 1778 次阅读
LTC4365可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，确保输出处于一个安全的工作范围之内。 它能承受 -40V 至 60V 的电压，具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为125μA。 其两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了过压 (OV) 和欠压 (UV) 设定点的配置，一个停机引脚负责提供用于使能和停用 MOSFET （金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管——MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET）以及将器件置于一种低电流停机状态的外部控制。一个故障输出可提供被拉至低电平的 GATE 引脚状态，当器件处于停机状态或输入电压超出了 UV 和 OV 设定点的范围时，将指示有故障发生。
LTC4365经典应用电路图
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