IGBT充电电路
出处:何以解忧 发布于:2011-09-03 08:03:49 | 1697 次阅读
采用IGBT作开关元件时,逆变器电路采用率联谐振逆变电路,如图3-33所示。这种电路的设计和工作原理与用SCR作开关的电路相同。要注意的是,IGBT和VMOS的控制极脉冲宽度必须等于或稍大于谐振电流的流通时间。
采用IGBT或VMOS器件后,由于它们的导通受栅极控制,因而一般情况下,负载不短路是不会发生连通现象的,因此对这种器件做的电源主要的防止负载短路造成过流事故。
电路中,对VMOS和IGBT的保护很重要,为了防止过压采用RC吸收电路和其它过压保护电路。半桥电路对开关元件的耐压要求降低。所以常被选用。在逆变器回路中,电感元件很关键,它的大小决定了电流的峰值和平均值的大小,因此在谐振回路中C3一定时,尽可能选用大 的电感。
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