分立式小信号 MOSFET 至今仍在使用，本设计理念提供了两个简单示例：与门和调幅器。

图 1 显示了一个标准的双输入与门及其 MOSFET（和一个或两个电阻器）实现。

图 1  双输入与门 (a) 和 MOSFET 实现 (b)

Input-A 和 Input-B 在这里连接 到由 15V 电池供电的单极开关。Input-A接MOSFET的漏极；输入-B 到其栅极端子。标记为 Output-C 的源极端子是与门的输出。电路中的 MOSFET 处于截止或饱和模式。

当在栅极端施加逻辑低电平 (0V) 时，MOSFET 工作在截止模式，MOSFET 的漏极和源极端子之间存在高阻抗。类似地，当在栅极端施加高电压（15V）时，MOSFET 工作在饱和模式，并且 MOSFET 的漏极和源极端子之间存在低阻抗。

图 2  两个输入 = 1 的示例仿真

与非门当然可以通过添加M2和R3形成输出反相器来实现。

图 3  双输入与非门 (a) 和 MOSFET 实现 (b)

对于更模拟的MOSFET 应用，请考虑这个简单的 AM 调制器。

图 4  MOSFET 调幅器

电路 由一个 N 沟道 MOSFET、两个电阻器和一个肖特基二极管组成。调制信号v-sig(t) 连接到 MOSFET 的漏极端子。载波信号v-carr(t)连接到栅极端子。调幅输出信号v-out(t)是从源极端子获得的。

载波信号是方波，由于 MOSFET 的栅极连接到载波，因此 MOSFET 将以该频率打开和关闭。开启时，漏极上的任何电压都将通过 MOSFET 并出现在源极端子。当 MOSFET 关闭时，R2 会将输出拉至地。

为了正常工作，载波信号的峰峰值电压应该是调制信号峰峰值电压的两倍。肖特基二极管防止调幅输出信号成为双极性信号。

图 5  使用 25kHz 12V P-P 载波和 1kHz 6V P-P 正弦调制的仿真结果

图 6  同上，方波调制