RCC电路的基本操作
出处:维库电子市场网 发布于:2023-10-31 17:24:05 | 474 次阅读
晶体管开始驱动开关变压器当施加输入电压时。基极电流 (IB) 流过电阻器 R2。对晶体管 Q1 施加偏压,使其导通。
其次,集电极电流 (IC) 流过初级绕组并开始快速线性上升,如图所示,直到达到阈值水平。
片刻之后,反馈绕组将开始逐渐释放较低的相反(负)电压,为电容器 C3 充电,并继续流向 Q1 的基极。VBE 为负电压。它的功率比流过 R2 的电流大。因此,晶体管关闭并且电流停止流过初级绕组。
当放电负电流耗尽时。基极电流开始流过R2,再次偏置晶体管Q1的基极。这个循环将以每秒大约 10,000 到 50,000 次的速度永远持续下去。该频率变化取决于输入电压和负载的重量。
我们可以看到晶体管导通和截止时 IC、VCE 和 VBE 之间的关系。现在我们有了一个振荡器,或者说反激式振荡器电路。
它还在晶体管导通期间将能量存储在变压器中,并在晶体管截止时通过整流器2将该能量输出到负载。
整流滤波器2也是半波整流电路,但频率更高。最好使用肖特基整流二极管 1N5819,而不是原来的 1N4007。因为1N5819在更高的频率下效率更高。
在C5滤波电容上,我们换成了470μF的更高电容,以更平滑地过滤大电流。
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