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CEF07N8 Datasheet

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CEF07N8
PRELIMINARY
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
800V , 4A , R
DS(ON)
=2
鈩?/div>
@V
GS
=10V.
Super high dense cell design for extremely low R
DS(ON)
.
High power and current handling capability.
TO-220F full-pak for through hole
D
6
G
G
D
S
S
TO-220F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
-Pulsed
Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Power Dissipation
@Tc=25 C
Derate above 25 C
Operating and Storage Temperautre Range
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
STG
Limit
800
30
4
12
4
50
0.4
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/ C
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
6-137
2.5
65
C/W
C/W

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
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  • CEF01N6
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    Chino-Excel Technology [N-Channel Enhancement Mode Field Ef...
    CET
    CEF01N6
  • CEF02N6
    英文版
    600V N Channel MOS
    ETC
    CEF02N6
  • CEF02N6
    英文版
    Chino-Excel Technology [N-Channel Enhancement Mode Field Ef...
    CET
    CEF02N6
  • CEF02N7
    英文版
    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    CET
    CEF02N7
  • CEF04N6
    英文版
    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    CET
    CEF04N6
  • CEF04N6
    英文版
    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    CET [Chino...
    CEF04N6
  • CEF04N7
    英文版
    Chino-Excel Technology [N-Channel Enhancement Mode Field Ef...
    CET
    CEF04N7
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    英文版
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    ETC
    CEF06N5
  • CEF07N8
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    ETC
    CEF07N8
  • CEF07N8
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    Chino-Excel Technology [N-Channel Logic Level Enhancement M...
    CET
    CEF07N8
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    ETC
    CEF08N5
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    CEF09N6
  • CEF09N6
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    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    CET [Chino...
    CEF09N6
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    英文版
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    CEF02N6A

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