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IC Datasheet频道、中国IC资料网

R6012FNJTL Datasheet

IC型号：
R6012FNJTL
PDF描述：
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
文件大小：
1711.00KB
PDF页数：
14页

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R6012FNJTL 产品属性

现有数量
938现货
价格
1 : ￥26.08000剪切带（CT）1,000 : ￥15.85839卷带（TR）
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
510 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LPTS
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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型号

版本

描述

厂商

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