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IC Datasheet频道、中国IC资料网

R6015FNX Datasheet

IC型号：
R6015FNX
PDF描述：
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
文件大小：
3975.00KB
PDF页数：
15页

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R6015FNX 产品属性

现有数量
698现货
价格
1 : ￥47.14000散装500 : ￥33.94894散装
系列
-
包装
散装散装
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1660 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FM
封装/外壳
TO-220-3 整包

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型号

版本

描述

厂商

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