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AT49BV6416 Datasheet

  • AT49BV6416

  • 64-megabit (4M x 16) Page Mode 2.7-volt Flash Memory

  • 612.00KB

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  • ATMEL   ATMEL

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AT49BV6416(T)
12. DC Characteristics
Symbol
I
LI
I
LO
I
SB1
I
CC(1)
I
CCRE
I
CCRW
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
Note:
Parameter
Input Load Current
Output Leakage Current
V
CC
Standby Current CMOS
V
CC
Active Current
V
CC
Read While Erase Current
V
CC
Read While Write Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
1. In the erase mode, I
CC
is 35 mA.
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= -100 碌A; V
CCQ
= 2.2V - 3.6V
V
CCQ
- 0.1
V
CCQ
- 0.6
0.45
Condition
V
IN
= 0V to V
CC
V
I/O
= 0V to V
CC
CE = V
CCQ
- 0.3V to V
CC
f = 5 MHz; I
OUT
= 0 mA
f = 5 MHz; I
OUT
= 0 mA
f = 5 MHz; I
OUT
= 0 mA
Min
Max
1
1
35
30
60
60
0.6
Units
碌A
碌A
碌A
mA
mA
mA
V
V
V
V
13. Input Test Waveforms and Measurement Level
2.0V
AC
DRIVING
LEVELS
0.6V
1.5V
AC
MEASUREMENT
LEVEL
t
R
, t
F
< 5 ns
14. Output Test Load
V
CCQ
1.8K
OUTPUT
PIN
1.3K
30 pF
15. Pin Capacitance
f = 1 MHz, T = 25掳C
(1)
Typ
C
IN
C
OUT
Note:
4
8
Max
6
12
Units
pF
pF
Conditions
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
19
3451C鈥揊LASH鈥?/05

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