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IRHNA57160 Datasheet

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  • RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

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IRHNA57160, JANSR2N7469U2
Pre-Irradiation
120
LIMITED BY PACKAGE
100
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
, Drain Current (A)
80
-
V
DD
V
GS
60
Pulse Width
鈮?1
碌s
Duty Factor
鈮?0.1 %
40
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
25
50
75
100
125
150
20
0
T
C
, Case Temperature ( 掳C)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
1
Thermal Response (Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1
/ t
2
2. Peak T
J
= P
DM
x Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
6
www.irf.com

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