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2SK3326 Datasheet

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  • MOS Field Effect Transistor

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2SK3326
Figure6. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th (t)
- Transient Thermal Resistance - 藲C/W
100
R
th(ch-A)
= 62.5 藲C/W
10
R
th(ch-C)
= 3.2 藲C/W
1
0.1
T
c
= 25 藲C
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Figure7. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
Figure8. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
2.0
Iy
fs
I - Forward Transfer Admittance - S
10
1
T
A
= 鈥?5 藲C
25 藲C
75 藲C
125 藲C
0.1
R
DS(on)
- Drain to Source On-state Resistance -
鈩?/div>
1.0
I
D
= 10 A
5.0 A
2.0 A
0.01
0.01
V
DS
= 10 V
Pulsed
0.1
1
I
D
- Drain Current - A
10
100
0.0
Pulsed
0
5
10
15
20
25
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
DS(on)
- Drain to Source On-state Resistance -
鈩?/div>
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V
GS(off)
- Gate to Source Cut-off Voltage - V
Figure10. GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
3.0
3.0
Pulsed
2.0
2.0
1.0
1.0
0
0.1
0.0
鈥?0
0
50
100
150
200
1
10
100
I
D
- Drain Current - A
T
ch
- Channel Temperature - 藲C
4
Data Sheet D14204EJ1V0DS00

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