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2SK3326 Datasheet

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  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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2SK3326
TYPICAL CHARACTERISTICS(T
A
= 25 掳C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
dT - Percentage of Rated Power - %
50
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
P
T
- Total Power Dissipation - W
80
40
60
40
30
20
20
10
0
20
40
60
80
100 120
140
160
0
20
40
60
80
100 120
140
160
T
c
- Case Temperature - 藲C
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
100
d
ite V)
Lim10
)
on
=
S(
S
R
D
t V
G
a
(
T
c
- Case Temperature - 藲C
Figure4. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
20
Pulsed
I
D (pulse)
P
10
W
=
I
D
- Drain Current - A
10
10
I
D (DC)
0
Po
we
10
1m
s
m
s
碌
s
I
D
- Drain Current - A
碌
s
V
GS
= 20 V
10 V
8.0 V
10
1
rD
10
iss
0
m
ip
s
n
Li
m
at
io
V
GS
= 6.0 V
0.1
1
T
c
= 25 藲C
Single Pulse
10
ite
d
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
Figure5. DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
10
Pulsed
0
4
8
12
16
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
- Drain Current - A
1
0.1
0.01
T
A
= 鈥?5 藲C
25 藲C
75 藲C
125 藲C
0.001
0.0001
0
5
10
15
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
Data Sheet D14204EJ1V0DS00
3

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